CBRAMs (Conductive Bridging Random Access Memories) könnten eine zukunftsweisende Lösung der Speicherproblematik sein. Mit der Technologie lassen sich Daten nahezu permanent speichern, wie der Schweizerische Nationalfonds (SNF) in einer Mitteilung schreibt. Forschern der Eidgenössischen Technischen Hochschule Zürich (ETH) ist es nun gelungen, mehr darüber zu erfahren, wie sich die Speicher auf atomarer Ebene verhalten. Dank ihrer Erkenntnisse könnten CBRAM-Speicher kleiner und energiesparender werden.
Konkret haben ETH-Forscher ein numerisches Computermodell eines CBRAM entworfen, mit dem eine Simulation auf atomarer Ebene möglich ist. So konnten sie die Idealgeometrie eines CBRAM-Speichers aufzeigen: Ein Halbleiter von 1,5 bis zwei Nanometern Dicke, was knapp einem Dutzend Atomen entspricht. Maschinen, die in derartig kleinen Dimensionen arbeiten können, sind derzeit allerdings noch nicht in der Massenproduktion einsetzbar, wie die Forscher erklären.
Für ihre Arbeiten nutzen die Forscher den Supercomputer Piz Daint, der im Nationalen Hochleistungsrechenzentrum (CSCS) in Lugano steht. Dieser gilt als die Nummer drei unter den leistungsstärksten Grossrechnern der Welt. Er ist in der Lage, pro Sekunde über 20 Millionen Milliarden Rechenoperationen zu verarbeiten. Trotz dieser enormen Rechenleistung habe die Simulation „mehrere Stunden“ in Anspruch genommen, erklären die Forscher.
Um eine solche Studie durchzuführen, braucht es laut Mitteilung mindestens 230 modernste Grafikkarten. Piz Daint umfasst über 4000 solcher Karten, die jeweils mit einem eigenen CPU-Prozessor verbunden sind.
